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直拉硅单晶

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直拉硅单晶(CZ-Silicon

/轻掺直拉硅单晶适用于建造各种集成电路、二极管、 三极管、绿色能源太阳能电池等。可掺入特别元素比方镓(Ga)、锗(Ge),建造出特别器件需求的高效、抗辐射、抗衰减的 太阳能电池用材料。

磁场直拉硅单晶(MCZ

将磁场用于直拉工艺,消费出具有低氧含量、高电阻率平均性的直拉单晶,适用于建造各种集成电路器件、各种分立器件,低氧太阳能电池的硅质料。

重搀杂硅单晶(CZ heavily doped crystal

接纳特别搀杂安装及直拉工艺,可制备出电阻率极低的掺磷、砷、锑(PSbAs)的重掺直拉硅单晶,次要用作内涵片的衬底质料,用于制造超大规模集成电路开关电源、肖特基、二极管和场控高频电力电子器件等特别电子器件。

<110>特别晶向直拉硅单晶

<110>硅单晶产物具有原始晶向<110>,不需二次加工调解晶向,具有晶格构造完善,氧碳含量低等特性,是一种新型的太阳能电池质料,也能够用于新一代电池质料。

 

直拉硅单晶规格

CZ monocrystalline silicon specification

单晶品种

导电范例

晶向

直径(mm)

电阻率(Ω·cm)

直拉(CZ

N&P

<100>

<110>&<111>

76.2-200

1-300

磁场直拉(MCZ

N&P

<100>

<110>&<111>

76.2-200

1-300

重搀杂

N&P

<100>&<111>

76.2-200

0.001-1

硅片规格

Wafer specification

 

直径(mm

厚度(um

硅片

76.2-200

160

 

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