区熔硅单晶
本征及超高阻区熔硅单晶（FZ-Silicon）
经由过程区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺点密度，晶格构造完善的硅单晶，晶体生长历程中不引入任何杂质，其电阻率凡是在1000Ω•cm 以上，次要用于建造高反压器件和光电子器件。
中子辐照区熔硅单晶（NTDFZ-Silicon）
本征区熔硅单晶经由过程中子辐照可获得高电阻率平均性的硅单晶，包管了器件建造的成品率和一致性。次要用于建造硅整流器（SR）、可控硅（SCR）、巨型晶体管（GTR）、晶闸管（GRO）、静电感应晶闸管（SITH）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、超高压二极管（PIN）、 智能功率器件（SMART POWER）、功率集成器件（POWER IC）等，是各种变频器、整流器、大功率掌握器件、新型电力电子器件的主体功用质料，也是多种探测器、传感器、光电子器件和特别功率器件等的主体功用质料。
气相搀杂区熔硅单晶（GDFZ-Silicon）
操纵杂质的分散机理，在用区熔工艺拉制硅单晶的历程中参加气相杂质，从根本上处理了区熔工艺搀杂艰难的成绩，可得到N型或P型、电阻率范畴0.001-300Ω.cm，电阻率平均性与中子辐照相称的气掺硅单晶，其电阻率在适用于建造各种半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、高效太阳能电池等。
直拉区熔硅单晶（CFZ-Silicon）
接纳直拉与区熔两种工艺相结合的方法拉制硅单晶，产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特别元素比方镓（Ga）、锗（Ge）等。接纳直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片，其各项性能指标均远优于当前全球光伏财产利用的各种硅片，太阳能电池转换服从高达24-26%。产物次要应用于特别构造、背打仗、HIT等特别工艺建造的高效太阳能电池上，并更加普遍的用于LED、功率器件、汽车、卫星等浩瀚产物和领域中。
区熔硅单晶规格
FZ monocrystalline silicon specification
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单晶品种
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导电范例
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晶向
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直径(mm)
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电阻率(Ω·cm)
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高阻
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N&P
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<100>&<111>
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76.2-200
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＞1000
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中子辐照（NTD）
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N
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<100>&<111>
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76.2-200
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30-800
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直拉区熔（CFZ）
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N&P
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<100>&<111>
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76.2-200
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1-50
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气相搀杂（GD）
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N&P
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<100>&<111>
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76.2-200
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0.001-300
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硅片规格
Wafer specification
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直径（mm）
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厚度（um）
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硅片
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76.2-200
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≥160
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